Name: Infineon(英飞凌) S25HS512TDSMHV010
Brand: Infineon(英飞凌)
SKU: C20191740
Price: 41.87 CNY
Availability: OutOfStock

英飞凌45纳米MIRRORBIT™技术，可在每个存储阵列单元中存储两位数据
扇区架构选项：
- 统一架构：地址空间由所有256KB扇区组成
- 混合配置1：地址空间由32个4KB扇区组成，这些扇区集中在顶部或底部，其余扇区均为256KB
- 混合配置2：地址空间由32个4KB扇区组成，这些扇区平均分布在顶部和底部，其余扇区均为256KB
256或512字节的页面编程缓冲区
1024字节（32×32字节）的一次性可编程（OTP）安全硅阵列
四路SPI：
- 支持1S - 1S - 4S、1S - 4S - 4S、1S - 4D - 4D、4S - 4S - 4S、4S - 4D - 4D协议
- 单数据率（SDR）选项最高运行速度可达83MBps（166MHz时钟速度）
- 双数据率（DDR）选项最高运行速度可达102MBps（102MHz时钟速度）
双SPI：
- 支持1S - 2S - 2S协议
- SDR选项最高运行速度可达41.5MBps（166MHz时钟速度）
SPI：
- 支持1S - 1S - 1S协议
- SDR选项最高运行速度可达21MBps（166MHz时钟速度）
功能安全特性：
- 具备行业首个符合ISO26262 ASIL B标准且为ASIL D做好准备的NOR闪存功能安全
- 英飞凌Endurance Flex架构提供高耐久性和长保留分区
- 数据完整性循环冗余校验（CRC）可检测存储阵列中的错误
- SafeBoot可报告设备初始化失败、检测配置损坏并提供恢复选项
- 内置纠错码（ECC）可纠正存储阵列数据中的单比特错误并检测双比特错误（SECDED）
- 扇区擦除状态指示器可指示擦除过程中的掉电情况
保护特性：
- 针对存储阵列和设备配置的传统块保护
- 基于单个存储阵列扇区的高级扇区保护
自动启动功能可在通电后立即访问存储阵列
通过JEDEC串行闪存复位信号协议/单个RESET#引脚/DQ3_RESET#引脚进行硬件复位
串行闪存可发现参数（SFDP）描述设备功能和特性
设备标识、制造商标识和唯一标识
数据完整性：
- 256Mb设备：主阵列的最小编程 - 擦除周期为640,000次
- 512Mb设备：主阵列的最小编程 - 擦除周期为1,280,000次
- 1Gb设备：主阵列的最小编程 - 擦除周期为2,560,000次
- 所有设备：4KB扇区的最小编程 - 擦除周期为300,000次，数据最小保留时间为25年
电源电压：
- 1.7V至2.0V（HS - T）
- 2.7V至3.6V（HL - T）
等级/温度范围：
- 工业级（-40°C至+85°C）
- 增强工业级（-40°C至+105°C）
- 汽车AEC - Q100 3级（-40°C至+85°C）
- 汽车AEC - Q100 2级（-40°C至+105°C）
- 汽车AEC - Q100 1级（-40°C至+125°C）
封装：
- 256MB和512MB：
  - 16引脚SOIC（300密耳） - SO3016
  - 24球BGA 6×8mm
  - 16引脚SOIC（300密耳）
  - 8触点WSON 6×8mm
- 1GB：
  - 16引脚SOIC（300密耳） - SO3016
  - 24球BGA 8×8mm
  - 16引脚SOIC（300密耳）

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	512Mbit
	时钟频率(fc)	166MHz
	工作电压	2.7V~3.6V

	属性	参数值
	待机电流	14uA
	擦写寿命	1280000次
	数据保留 - TDR(年)	25年
	工作温度	-
	功能特性	ECC纠错；上电复位

S25HS512TDSMHV010

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商品特性

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