S29GL01GS12DHE023
S29GL01GS12DHE023
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- S29GL01GS12DHE023
- 商品编号
- C20191750
- 商品封装
- FBGA-64(9x9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 200uA | |
| 擦写寿命 | 100次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
商品概述
Infineon S29GL01G/512/256/128S 是采用65纳米MIRRORBIT Eclipse技术的闪存产品。这些设备提供最快达15纳秒的页访问时间和相应的100纳秒随机访问时间。它们具有写缓冲区，允许最多256字/512字节在一次操作中编程，从而比标准编程算法更有效地缩短编程时间。这使得这些设备非常适合需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
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