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S29GL128S10GHB013

128 Mb/256 Mb/512 Mb/1 Gb GL-S MIRRORBIT 闪存，并行，3.0 V

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S29GL128S10GHB013
商品编号: C20191754
商品封装: FBGA-56(7x9)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH

	属性	参数值
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；ECC纠错；软件写保护；上电复位；电源锁定保护

商品概述

S29GL01G/512/256/128S 是采用 65 纳米工艺技术制造的 MIRRORBIT Eclipse 闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达 15 纳秒，相应的随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程 256 字/512 字节，从而使有效编程时间比标准编程算法更快。这使得这些器件非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

商品特性

具有通用 I/O 的 3.0V CMOS 内核
65 纳米 MIRRORBIT Eclipse 技术
读写/编程/擦除采用单电源（VCC，2.7V 至 3.6V）
通用 I/O 特性
宽 I/O 电压范围（VIO：1.65V 至 VCC）
×16 数据总线
异步 32 字节页面读取
512 字节编程缓冲区
以页面倍数进行编程，最大可达 512 字节
支持单字和多字编程选项
自动错误检查和纠正（ECC）——内部硬件 ECC 可纠正单比特错误
扇区擦除
统一的 128 千字节扇区
编程和擦除操作支持暂停和恢复命令
状态寄存器、数据轮询和就绪/忙引脚方法用于确定设备状态
高级扇区保护（ASP）
每个扇区具有易失性和非易失性保护方法
独立的 1024 字节一次性可编程（OTP）阵列，有两个可锁定区域
通用闪存接口（CFI）参数表
温度范围/等级：
- 工业级（-40°C 至 +85°C）
- 工业增强级（-40°C 至 +105°C）
- 汽车级，AEC - Q100 3 级（-40°C 至 +85°C）
- 汽车级，AEC - Q100 2 级（-40°C 至 +105°C）
100,000 次编程/擦除循环
20 年数据保留
封装选项：
- 56 引脚 TSOP
- 64 球 LAA 加固型 BGA，13mm×11mm
- 64 球 LAE 加固型 BGA，9mm×9mm
- 56 球 VBU 加固型 BGA，9mm×7mm

数据手册PDF

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