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S79FS01GSFABHB210实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

S79FS01GSFABHB210

1Gbit双四通道串行外设接口多I/O闪存,支持DDR选项和多种读写模式,具备安全特性和自动纠错功能

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商品型号
S79FS01GSFABHB210
商品编号
C20192437
商品封装
BGA-24(6x8)​
包装方式
托盘
商品毛重
6.433333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量1Gbit
时钟频率(fc)133MHz
工作电压1.7V~2V
属性参数值
待机电流50uA
擦写寿命100000次
数据保留 - TDR(年)20年
工作温度-40℃~+105℃
功能特性硬件写保护;写使能锁存;ECC纠错;软件写保护;上电复位

商品特性

  • 密度:
    • 1 Gb(128 MB)
    • 支持多I/O的SPI接口
    • SPI时钟极性和相位模式0和3
    • 支持DDR选项
    • 扩展寻址 – 24位或32位地址选项
  • 读取:
    • 命令:普通、快速Quad I/O、DDR Quad I/O
    • 模式:突发回绕、连续(XIP)、QPI
    • 串行闪存可发现参数(SFDP)和通用闪存接口(CFI),用于配置信息
  • 编程:
    • 每管芯256或512字节页面编程缓冲区
    • 编程暂停和恢复
    • 自动纠错码(ECC) – 具有单比特纠错功能的内部硬件ECC
  • 擦除:
    • 混合扇区选项
    • 物理上包含八个8 KB扇区和一个448 KB扇区,位于地址空间顶部或底部,其余扇区每管芯512 KB
    • 统一扇区选项:统一的512 KB块
    • 擦除暂停和恢复
    • 擦除状态评估
  • 循环耐久性:
    • 至少100,000次编程 - 擦除循环
  • 数据保留:
    • 至少20年数据保留
  • 安全特性:
    • 2048字节的OTP阵列
    • 块保护:
      • 状态寄存器位,用于控制对连续扇区范围的编程或擦除保护
      • 硬件和软件控制选项
    • 高级扇区保护(ASP):
      • 由引导代码或密码控制的单个扇区保护
      • 密码控制读取访问选项
  • 技术:
    • 采用Eclipse架构的65 nm MIRRORBIT技术
  • 电源电压:1.7 V ~ 2.0 V
  • 温度范围/等级:
    • 汽车级,AEC - Q100 2级(-40°C ~ +105°C)
  • 封装(均为无铅):
    • BGA - 24,6×8 mm
    • 5×5球(ZSA024)封装尺寸

数据手册PDF