S79FS01GSFABHB213
1 Gbit, 1.8V 双四通道串行外设接口多输入输出闪存
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- S79FS01GSFABHB213
- 商品编号
- C20192438
- 商品封装
- BGA-24(6x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 时钟频率(fc) | 102MHz | |
| 工作电压 | 1.7V~2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 50uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；写使能锁存；ECC纠错；软件写保护；上电复位 |
商品特性
- 密度：
- 1 Gb（128 MB）
- 支持多I/O的SPI接口
- SPI时钟极性和相位模式0和3
- 支持DDR选项
- 扩展寻址 – 24位或32位地址选项
- 读取：
- 命令：普通、快速Quad I/O、DDR Quad I/O
- 模式：突发回绕、连续（XIP）、QPI
- 串行闪存可发现参数（SFDP）和通用闪存接口（CFI），用于配置信息
- 编程：
- 每管芯256或512字节页面编程缓冲区
- 编程暂停和恢复
- 自动纠错码（ECC） – 具有单比特纠错功能的内部硬件ECC
- 擦除：
- 混合扇区选项
- 物理上包含八个8 KB扇区和一个448 KB扇区，位于地址空间顶部或底部，其余扇区每管芯512 KB
- 统一扇区选项：统一的512 KB块
- 擦除暂停和恢复
- 擦除状态评估
- 循环耐久性：
- 至少100,000次编程 - 擦除循环
- 数据保留：
- 至少20年数据保留
- 安全特性：
- 2048字节的OTP阵列
- 块保护：
- 状态寄存器位，用于控制对连续扇区范围的编程或擦除保护
- 硬件和软件控制选项
- 高级扇区保护（ASP）：
- 由引导代码或密码控制的单个扇区保护
- 密码控制读取访问选项
- 技术：
- 采用Eclipse架构的65 nm MIRRORBIT技术
- 电源电压：1.7 V ~ 2.0 V
- 温度范围/等级：
- 汽车级，AEC - Q100 2级（-40°C ~ +105°C）
- 封装（均为无铅）：
- BGA - 24，6×8 mm
- 5×5球（ZSA024）封装尺寸
- S80KS2564GACHV043
- SLB9672XU20FW1612XTMA1
- STT1400N18P55XPSA2
- STT1900N18P55XPSA2
- STT2200N18P55XPSA2
- STT3400N16P76XPSA1
- STT3400N18P76XPSA1
- STT5100N18P110XPSA1
- STT800N18P55XPSA2
- SVID002
- TC212L8F133FACKXUMA1
- TC212S8F133FACKXUMA1
- TC212S8F133NACKXUMA1
- TC222S16F133FACKXUMA1
- TC222S16F133NACKXUMA1
- TC223L16F133FACKXUMA1
- TC223S16F133FACKXUMA1
- TC233L32F200FACLXUMA1
- TC234L32F200NACKXUMA1
- TC265D40F200WBCKXUMA1
- TC277T64F200SDCKXUMA1