Name: Infineon(英飞凌) S25FL256SAGBHMC13
Brand: Infineon(英飞凌)
SKU: C20191731
Price: 45.16 CNY
Availability: OutOfStock

具备多功能I/O的3.0V CMOS内核
带有多I/O的串行外设接口（SPI）
SPI时钟极性和相位模式0和3
双倍数据速率（DDR）选项
扩展寻址：24位或32位地址选项
串行命令集和引脚布局与S25FL - A、S25FL - K和S25FL - P SPI系列兼容
多I/O命令集和引脚布局与S25FL - P SPI系列兼容
读取命令：普通、快速、双倍、四倍、快速DDR、双倍DDR和四倍DDR
自动启动 - 上电或复位后，在预选地址自动执行普通或四倍读取命令
用于配置信息的通用闪存接口（CFI）数据
编程（1.5 MBps）
- 256字节或512字节页编程缓冲区选项
- 用于慢时钟系统的四倍输入页编程（QPP）
- 自动ECC - 具有单比特错误纠正功能的内部硬件错误纠正码生成
擦除（0.5至0.65 MBps）
- 混合扇区大小选项 - 地址空间顶部或底部有32个4 KB扇区的物理集，其余所有扇区为64 KB，与前代S25FL设备兼容
- 统一扇区选项 - 始终擦除256 KB块，以实现与更高密度和未来设备的软件兼容
循环耐久性：100次编程 - 擦除循环
数据保留：数据保留时间>20年
安全特性：
- 1024字节的OTP阵列
- 块保护：状态寄存器位，用于控制对连续扇区范围的编程或擦除保护
- 硬件和软件控制选项
- 高级扇区保护（ASP）：由引导代码或密码控制的单个扇区保护
采用Eclipse架构的65纳米MIRRORBIT技术
核心电源电压：2.7 V至3.6 V
I/O电源电压：1.65 V至3.6 V
FBGA封装
温度范围/等级：-55°C至+125°C
封装（均为无铅）：
- WSON 6×8 mm
- BGA - 24 6×8 mm
- 5×5球（FAB024）引脚布局选项

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	256Mbit
	时钟频率(fc)	133MHz
	工作电压	2.7V~3.6V

	属性	参数值
	待机电流	115uA
	擦写寿命	100次
	数据保留 - TDR(年)	20年
	功能特性	硬件写保护；写使能锁存；ECC纠错；软件写保护；上电复位

S25FL256SAGBHMC13

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商品特性

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