ISK036N03LM5AUSA1
ISK036N03LM5AUSA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISK036N03LM5AUSA1
- 商品编号
- C20191689
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.2nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
TF80N06将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 最低导通电阻 RDS(on),2x2 封装
- 针对高性能和功率密度进行优化
- 100% 雪崩测试
- 2x2 封装具有出色的热阻
- N 沟道
- 无铅引脚镀层,符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249 - 2 - 21 标准无卤
应用领域
-MB/VGA核心电压-开关电源二次侧同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器