ISZ15EP15LMATMA1
ISZ15EP15LMATMA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISZ15EP15LMATMA1
- 商品编号
- C20191692
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.259Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 26.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC | |
| 输入电容(Ciss) | 370pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- P沟道
- 在 VGS = 4.5 V 时,导通电阻RDS(ON)极低
- 100% 雪崩测试
- 逻辑电平
- 增强型
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
- 符合 IEC61249-2-21 标准的无卤要求
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