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ISC16DP15LMATMA1
OptiMOs功率晶体管，-150 V
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- 描述
- 特性：P沟道。 极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 逻辑电平。 增强模式。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISC16DP15LMATMA1
- 商品编号
- C20191684
- 商品封装
- SMD,9.1x6.9mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 134mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 188W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@2304uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
应用领域
- 有刷电机驱动应用-无刷直流电机驱动应用-电池供电电路-半桥和全桥拓扑-同步整流器应用-谐振模式电源-或门和冗余电源开关-DC/DC和AC/DC转换器-DC/AC逆变器