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IQE022N06LM5SCATMA1
OptiMOs 5功率晶体管，60 V
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- 描述
- 特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 N沟道，逻辑电平。 极低的导通电阻 RDS(on)。 出色的热阻性能。 100%经过雪崩测试。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IQE022N06LM5SCATMA1
- 商品编号
- C20191650
- 商品封装
- WHSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 151A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@48uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.42nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 936pF |
商品概述
IPQC60R010S7A是一款高压功率MOSFET，根据超结（SJ）原理设计为静态开关。它结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高端创新技术，可在QDPAK封装中实现低导通电阻RDS(on)。S7A系列针对低频开关和大电流应用（如断路器）进行了优化。
商品特性
- 针对高端应用（断路器以及桥式整流器中的二极管并联/替换）的低开关频率进行了优化。
- S7A技术可在最小的占位面积内实现同类最佳的导通电阻RDS(on)。
- 开尔文源极引脚可提高大电流下的开关性能。
- QDPAK（PG - HDSOP - 22 - 1）封装符合MSL1标准，完全无铅，引脚便于目视检查。
应用领域
- 断路器（高压电池断开开关、直流和交流低频开关、高压电子保险丝）
- 高功率/高性能应用中的二极管并联/替换
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