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ISC037N12NM6ATMA1
OptiM0s 6功率晶体管，120 V
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- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低反向恢复电荷(Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。 针对高频开关和同步整流进行优化。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 根据J-STD-020标准为MSL 1级分类
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISC037N12NM6ATMA1
- 商品编号
- C20191681
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.282058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 163A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 214W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V@111uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.3nF |
商品特性
- P沟道
- 在VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(on)极低
- 100%雪崩测试
- 逻辑电平
- 增强型
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤