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ISC030N12NM6ATMA1
OptiM0s 6功率晶体管，120 V
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- 描述
- 特性：N- 沟道，正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷× RDS(on) 乘积 (FOM)。 极低的反向恢复电荷 (Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃ 工作温度。 针对高频开关和同步整流进行了优化。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 无卤。 根据 J-STD-020 分类为 MSL 1
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISC030N12NM6ATMA1
- 商品编号
- C20191679
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 194A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.04mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V@141uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.6nF |
商品特性
- P沟道
- 在VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(on)极低
- 100%雪崩测试
- 逻辑电平
- 增强型
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准，无卤素