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IQE050N08NM5CGSCATMA1

适用于同步整流的N沟道功率MOSFET，低导通电阻，热阻优越

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IQE050N08NM5CGSCATMA1
商品编号: C20191656
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

IPQC60R017S7A是一款高压功率MOSFET，依据英飞凌科技公司首创的超结（SJ）原理设计为静态开关。 IPQC60R017S7A将领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流创新相结合，可在QDPAK封装中实现低导通电阻（RDS(on)）。S7A系列针对低频开关和大电流应用（如断路器）进行了优化。

商品特性

针对同步整流进行优化
N沟道,常电平
极低的导通电阻RDS(on)
出色的热阻性能
100%经过雪崩测试
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
符合IEC61249-2-21标准的无卤要求

应用领域

断路器（高压电池断开开关、直流和交流低频开关、高压电子保险丝）
高功率/高性能应用中的二极管并联/替换

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	80V
	连续漏极电流(Id)	99A
	导通电阻(RDS(on))	5mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	100W
	阈值电压(Vgs(th))	3.8V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	44nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.9nF
	反向传输电容(Crss)	37pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	480pF
	栅极电压(Vgs)	±20V