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IQE013N04LM6SCATMA1
OptiMOs 6功率晶体管，40 V
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- 描述
- 特性：为同步整流优化。N沟道，逻辑电平。极低导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IQE013N04LM6SCATMA1
- 商品编号
- C20191646
- 商品封装
- WHSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 205A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@51uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品特性
- 极低导通电阻RDS(on)
- 100%雪崩测试
- 出色的热阻性能
- N沟道、逻辑电平
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21的无卤要求
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