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IQE022N06LM5CGATMA1

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IQE022N06LM5CGATMA1
商品编号: C20191648
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

最新的650 V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级产品，是650 V CoolMOS CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

商品特性

针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流
N沟道、逻辑电平
极低的导通电阻RDS(on)
卓越的热阻性能
100%经过雪崩测试
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据IEC61249 - 2 - 21标准为无卤产品

应用领域

针对移相全桥（ZVS）、LLC应用进行优化 – 服务器、电信、电动汽车充电、太阳能

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	151A
	导通电阻(RDS(on))	2.9mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	100W
	阈值电压(Vgs(th))	2.3V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	33nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	4.42nF
	反向传输电容(Crss)	63pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	936pF