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IQE006NE2LM5SCATMA1

OptiMOs 5功率晶体管，25 V

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IQE006NE2LM5SCATMA1
商品编号: C20191644
商品封装: WHSON-8(3.3x3.3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.111835克(g)

商品参数

商品概述

IPQC60R040S7为低频开关应用提供了最佳的性价比。CoolMOS S7作为高压超结MOSFET，拥有最低的导通电阻（RDS(on)）值，显著提高了能源效率。CoolMOS S7针对“静态开关”和大电流应用进行了优化。它非常适合固态继电器和断路器设计，以及开关电源（SMPS）和逆变器拓扑中的线路整流。

商品特性

极低导通电阻RDS(on)
100%雪崩测试
出色的热阻性能
N沟道、逻辑电平
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
符合IEC61249-2-21的无卤要求

应用领域

固态继电器和断路器
高功率/高性能应用中的线路整流，如计算机、电信、不间断电源（UPS）和太阳能

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	25V
	连续漏极电流(Id)	310A
	导通电阻(RDS(on))	0.58mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	89W
	阈值电压(Vgs(th))	2V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	29nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	5.453nF
	反向传输电容(Crss)	195pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	2.261nF