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IQD016N08NM5CGATMA1
OptiMOs 5系列功率晶体管，80 V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IQD016N08NM5CGATMA1
- 商品编号
- C20191638
- 商品封装
- WHTFN-9
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 323A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.57mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 333W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@159uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 133nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 98pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.6nF |
商品概述
IPDQ60R022S7A是一款高压功率MOSFET，依据率先推出的超结（SJ）原理设计为静态开关。IPDQ60R022S7A融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术，能在QDPAK封装中实现低导通电阻RDS(on)。S7A系列针对低频开关和大电流应用（如断路器）进行了优化。
商品特性
- 针对高端应用（断路器以及桥式整流器中的二极管并联/替代）中的低开关频率进行了优化。
- S7A技术可在最小的占位面积内实现同类最佳的导通电阻RDS(on)。
- 开尔文源引脚可改善大电流下的开关性能。
- QDPAK（PG - HDSOP - 22 - 1）封装符合MSL1标准，完全无铅，适用于标准PCB组装流程。
应用领域
- 断路器(高压电池断开开关、直流和交流低频开关、高压电子保险丝)-用于高功率/高性能应用的二极管并联/替代
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