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IQD009N06NM5CGATMA1
OptiMOs 5功率晶体管，60 V
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- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61248-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IQD009N06NM5CGATMA1
- 商品编号
- C20191637
- 商品封装
- WHTFN-9
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 445A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.27mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 333W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V@163uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.3nF |
商品特性
- N沟道，常电平
- 极低导通电阻RDS(on)
- 出色的热阻性能
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21的无卤要求
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