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IPTC039N15NM5ATMA1

OptiMOs 5功率晶体管，150 V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 特性：N- 沟道，标准电平。极低的导通电阻 RDS(on)。卓越的热阻。 100% 雪崩测试。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤素
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPTC039N15NM5ATMA1
商品编号: C20191625
商品封装: HDSOP-16-2
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的后续产品，是专门针对移相全桥（ZVS）和LLC等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、拥有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）并改善了关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中具备最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合，且在设计导入过程中易于实施。

商品特性

超快体二极管
低栅极电荷
同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）
改善了MOSFET反向二极管的dv/dt和diF/dt鲁棒性
最低的品质因数RDS(on) * Qg和RDS(on) * Eoss
贴片（SMD）和通孔（THD）封装中同类最佳的RDS(on)

应用领域

软开关拓扑
移相全桥（ZVS）、LLC应用 - 服务器
电信
电动汽车充电

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	150V
	连续漏极电流(Id)	190A
	导通电阻(RDS(on))	3.9mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	319W
	阈值电压(Vgs(th))	4.6V@243uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	93nC@10V
	输入电容(Ciss)	7.3nF
	反向传输电容(Crss)	55pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	1.93nF