温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPW95R060PFD7XKSA1
950V CoolMOS PFD7超结功率器件
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 最新的 950V CoolMOS PFD7 系列在超结 (SJ) 技术中树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合，满足照明和工业开关电源应用的需求。与 CoolMOS P7 系列相比，PFD7 提供了一个集成的超快体二极管，可在谐振拓扑中使用，且具有市场上最低的反向恢复电荷 (Qrr)。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW95R060PFD7XKSA1
- 商品编号
- C20191634
- 商品封装
- TO-247-3-41
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 74.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 446W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@2.85mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 315nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.378nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 117pF |
商品特性
- N沟道，常电平
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的反向恢复电荷（Qrr）
- 高雪崩能量额定值
- 工作温度达175°C
- 针对高频开关和同步整流进行优化
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤素
- 根据J - STD - 020标准分类为MSL 1
相似推荐
其他推荐
- IPW95R130PFD7XKSA1
- IQD005N04NM6CGATMA1
- IQD009N06NM5CGATMA1
- IQD016N08NM5CGATMA1
- IQD020N10NM5CGATMA1
- IQDH29NE2LM5CGATMA1
- IQDH35N03LM5CGATMA1
- IQDH45N04LM6CGATMA1
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- IQE006NE2LM5SCATMA1
- IQE013N04LM6CGSCATMA1
- IQE013N04LM6SCATMA1
- IQE022N06LM5ATMA1
- IQE022N06LM5CGATMA1
- IQE022N06LM5CGSCATMA1
- IQE022N06LM5SCATMA1
- IQE030N06NM5CGSCATMA1
- IQE030N06NM5SCATMA1
- IQE046N08LM5CGATMA1
- IQE046N08LM5CGSCATMA1
- IQE046N08LM5SCATMA1