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IPTG054N15NM5ATMA1

OptiMOs 5功率晶体管，150 V

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描述: 特性：N沟道，正常电平。极低导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPTG054N15NM5ATMA1
商品编号: C20191630
商品封装: HSOG-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.982284克(g)

商品参数

商品概述

最新的650 V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650 V CoolMOS CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥 (ZVS)）中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

商品特性

N沟道,常电平
极低的导通电阻RDS(on)
出色的热阻性能
100%雪崩测试
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤

应用领域

软开关拓扑
移相全桥 (ZVS)、LLC应用 - 服务器
电信
电动汽车充电
太阳能

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	150V
	连续漏极电流(Id)	143A
	导通电阻(RDS(on))	5.4mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	250W
	阈值电压(Vgs(th))	4.6V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	73nC@10V
	输入电容(Ciss)	5.7nF
	反向传输电容(Crss)	44pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	1.6nF