IPTC007N06NM5ATMA1
耐压:60V 电流:454A
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- 描述
- TO无引脚封装提供了业内最低的导通电阻 $\mathsf{R}_{\mathsf{DS}(\mathsf{on})}$ 以及高电流承载能力。这使得在高功率应用中能够减少并联MOSFET的数量,并提高功率密度。此外,与 $D^{2}PAK$ 7引脚封装相比,可节省60%的电路板空间
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPTC007N06NM5ATMA1
- 商品编号
- C20191622
- 商品封装
- TOLT
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.836364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 454A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
- TO-Leadless封装提供了业内最低的导通电阻RDS(ON)以及高电流承载能力。这使得在高功率应用中可减少并联MOSFET的数量,并提高功率密度。此外,与D2PAK 7引脚封装相比,可节省60%的电路板空间。
- 与D2PAK 7引脚封装相比,TO-Leadless封装的焊接触面积大50%,可降低电流密度,避免在高电流和高温下发生电迁移,从而提高可靠性。TO-Leadless是一种无引脚封装,由于其镀锡的沟槽式栅极和源极触点,可进行光学检测。
- TOLG封装融合了TO-Leadless和D2PAK 7引脚封装的最佳特性。它与TOLL封装具有相同的封装尺寸和出色的电气性能。TOLG封装的优势在于其鸥翼式引脚带来的灵活性,这种引脚在铝制绝缘金属基板(Aluminum-IMS)上具有更好的焊接可靠性。得益于这一特性,TOLG封装在电路板热循环(TCoB)性能方面比IPC - 9701标准要求高出两倍。
- TOLT封装与TOLL封装一样,具有高电流、薄型的优点,此外还具备顶部散热功能,可实现最佳热性能。像TOLL或D2PAK这样的底部散热封装,热量通过PCB散发到散热器,会导致较高的功率损耗。而TOLT封装采用顶部散热,漏极暴露在封装表面,可将热量直接散发到散热器,与TOLL封装相比,热阻RthJA改善20%,RthJC改善50%。为实现与底部散热封装相同的电流承载能力,使用TOLT封装可显著减小散热器尺寸,降低系统成本。
商品特性
- 漏源电压VDS:-40V
- 漏极电流ID(栅源电压VGS = -10V时):-54A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -10V时):< 7 mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -4.5V时):< 9.5 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器
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