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IPTC007N06NM5ATMA1
耐压:60V 电流:454A
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- 描述
- TO无引脚封装提供了业内最低的导通电阻 $\mathsf{R}_{\mathsf{DS}(\mathsf{on})}$ 以及高电流承载能力。这使得在高功率应用中能够减少并联MOSFET的数量，并提高功率密度。此外，与 $D^{2}PAK$ 7引脚封装相比，可节省60%的电路板空间
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPTC007N06NM5ATMA1
- 商品编号
- C20191622
- 商品封装
- TOLT
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.836364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 454A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
G75P04FI采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS：-40V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = -10V时）：-54A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = -10V时）：< 7 mΩ
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = -4.5V时）：< 9.5 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器
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