IPTC012N06NM5ATMA1
三种不同封装满足不同需求
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- 描述
- TO-Leadless:提供业内最低的导通电阻RDS(on)以及高电流能力,可减少高功率应用中并联MOSFET的数量并提高功率密度,相比D'PAK 7-pin,其焊接接触面积大50%,可降低电流密度,避免高电流和高温下的电迁移,提高可靠性,且由于镀锡沟槽式栅极和源极触点,可进行光学检查。TOLG-TO-Leaded with gullwing:融合了TO-Leadless和D*PAK 7-pin的优点,与TOLL有相同的占位面积和出色的电气性能,鸥翼式引脚提供了灵活性,在铝制绝缘金属基板(Al-IMS)上具有更好的连接可靠性,热循环性能比IPC-9701标准要求好两倍。TOLT-TO-Leaded top-side cooling:与TOLL封装一样具有高电流、低外形的优点,还具备顶部散热功能,以实现最佳热性能。与底部散热封装相比,顶部散热可使漏极暴露在封装表面,直接将热量散发到散热器,与TOLL封装相比,热阻RthJA提高20%,RthJC提高50%
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPTC012N06NM5ATMA1
- 商品编号
- C20191624
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.41克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 311A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7.8nF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.8nF |
优惠活动
购买数量
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起订量:1 个1800个/圆盘
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