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IPTC012N06NM5ATMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPTC012N06NM5ATMA1

三种不同封装满足不同需求

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描述
TO-Leadless:提供业内最低的导通电阻RDS(on)以及高电流能力,可减少高功率应用中并联MOSFET的数量并提高功率密度,相比D'PAK 7-pin,其焊接接触面积大50%,可降低电流密度,避免高电流和高温下的电迁移,提高可靠性,且由于镀锡沟槽式栅极和源极触点,可进行光学检查。TOLG-TO-Leaded with gullwing:融合了TO-Leadless和D*PAK 7-pin的优点,与TOLL有相同的占位面积和出色的电气性能,鸥翼式引脚提供了灵活性,在铝制绝缘金属基板(Al-IMS)上具有更好的连接可靠性,热循环性能比IPC-9701标准要求好两倍。TOLT-TO-Leaded top-side cooling:与TOLL封装一样具有高电流、低外形的优点,还具备顶部散热功能,以实现最佳热性能。与底部散热封装相比,顶部散热可使漏极暴露在封装表面,直接将热量散发到散热器,与TOLL封装相比,热阻RthJA提高20%,RthJC提高50%
商品型号
IPTC012N06NM5ATMA1
商品编号
C20191624
包装方式
编带
商品毛重
1.41克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)311A
导通电阻(RDS(on))1.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)214W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.8V
栅极电荷量(Qg)106nC
输入电容(Ciss)7.8nF
类型N沟道
输出电容(Coss)1.8nF

商品概述

  • TO-Leadless封装提供了业内最低的导通电阻RDS(ON)以及高电流承载能力。这使得在高功率应用中可减少并联MOSFET的数量,并提高功率密度。此外,与D2PAK 7引脚封装相比,可节省60%的电路板空间。
  • 与D2PAK 7引脚封装相比,TO-Leadless封装的焊接触面积大50%,可降低电流密度,避免在高电流和高温下发生电迁移,从而提高可靠性。TO-Leadless是一种无引脚封装,由于其镀锡的沟槽式栅极和源极触点,可进行光学检测。
  • TOLG封装融合了TO-Leadless和D2PAK 7引脚封装的最佳特性。它与TOLL封装具有相同的封装尺寸和出色的电气性能。TOLG封装的优势在于其鸥翼式引脚带来的灵活性,这种引脚在铝制绝缘金属基板(Aluminum-IMS)上具有更好的焊接可靠性。得益于这一特性,TOLG封装在电路板热循环(TCoB)性能方面比IPC - 9701标准要求高出两倍。
  • TOLT封装与TOLL封装一样,具有高电流、薄型的优点,此外还具备顶部散热功能,可实现最佳热性能。像TOLL或D2PAK这样的底部散热封装,热量通过PCB散发到散热器,会导致较高的功率损耗。而TOLT封装采用顶部散热,漏极暴露在封装表面,可将热量直接散发到散热器,与TOLL封装相比,热阻RthJA改善20%,RthJC改善50%。为实现与底部散热封装相同的电流承载能力,使用TOLT封装可显著减小散热器尺寸,降低系统成本。

商品特性

  • 漏源电压VDS:-40V
  • 漏极电流ID(栅源电压VGS = -10V时):-54A
  • 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -10V时):< 7 mΩ
  • 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -4.5V时):< 9.5 mΩ
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 电源开关
  • DC/DC转换器

数据手册PDF