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IPTC012N06NM5ATMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPTC012N06NM5ATMA1

三种不同封装满足不同需求

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描述
TO-Leadless:提供业内最低的导通电阻RDS(on)以及高电流能力,可减少高功率应用中并联MOSFET的数量并提高功率密度,相比D'PAK 7-pin,其焊接接触面积大50%,可降低电流密度,避免高电流和高温下的电迁移,提高可靠性,且由于镀锡沟槽式栅极和源极触点,可进行光学检查。TOLG-TO-Leaded with gullwing:融合了TO-Leadless和D*PAK 7-pin的优点,与TOLL有相同的占位面积和出色的电气性能,鸥翼式引脚提供了灵活性,在铝制绝缘金属基板(Al-IMS)上具有更好的连接可靠性,热循环性能比IPC-9701标准要求好两倍。TOLT-TO-Leaded top-side cooling:与TOLL封装一样具有高电流、低外形的优点,还具备顶部散热功能,以实现最佳热性能。与底部散热封装相比,顶部散热可使漏极暴露在封装表面,直接将热量散发到散热器,与TOLL封装相比,热阻RthJA提高20%,RthJC提高50%
商品型号
IPTC012N06NM5ATMA1
商品编号
C20191624
包装方式
编带
商品毛重
1.41克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)311A
导通电阻(RDS(on))1.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)214W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.8V
栅极电荷量(Qg)106nC
输入电容(Ciss)7.8nF
类型N沟道
输出电容(Coss)1.8nF

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