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IPT017N12NM6ATMA1
OptiMOs 6功率晶体管，120 V
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- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低反向恢复电荷(Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。 针对高频开关进行优化。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 根据J-STD-020标准进行MSL 1分类
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT017N12NM6ATMA1
- 商品编号
- C20191620
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 331A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V@275uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 141nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.1nF |
商品特性
- N沟道，常电平
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷x RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的反向恢复电荷（Q_rr）
- 高雪崩能量额定值
- 175℃工作温度
- 针对高频开关进行优化
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤素
- 根据J-STD-020标准，湿度敏感度等级为1级
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