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IPT022N10NF2SATMA1

MOSFET功率晶体管

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描述: 特性：针对广泛的应用进行了优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPT022N10NF2SATMA1
商品编号: C20191621
商品封装: HSOF-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.9克(g)

商品参数

商品概述

最新的650 V CoolMOS™ CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650 V CoolMOS™ CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolMOS™ CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换流鲁棒性。CoolMOS™ CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

商品特性

针对广泛应用进行优化
N沟道,常电平
100%雪崩测试
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据IEC61249-2-21标准无卤

应用领域

针对移相全桥（ZVS）、LLC应用进行优化 —— 服务器、电信、电动汽车充电、太阳能

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	236A
	导通电阻(RDS(on))	2.9mΩ@6V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	250W
	阈值电压(Vgs(th))	3.8V
	栅极电荷量(Qg)	155nC@10V
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道