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IPT022N10NF2SATMA1
MOSFET功率晶体管
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- 描述
- 特性：针对广泛的应用进行了优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT022N10NF2SATMA1
- 商品编号
- C20191621
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 236A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@169uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 155nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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