IPF050N10NF2SATMA1
IPF050N10NF2SATMA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPF050N10NF2SATMA1
- 商品编号
- C20191602
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.907克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 117A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.05mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@84uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
最新的950V CoolMOS PFD7系列为超结（SJ）技术树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS P7系列相比，PFD7提供了集成的超快体二极管，可用于谐振拓扑，其反向恢复电荷（Qrr）为市场最低。
商品特性
- 集成超快体二极管
- 一流的反向恢复电荷Qrr
- 一流的品质因数RDS(on) * Eoss，降低了Qg、Ciss和Coss
- 一流的3V V(GS)th阈值电压，最小的V(GS)th变化范围为±0.5V
- 集成快速体二极管
- 一流的CoolMOS品质和可靠性
- 全面优化的产品组合
- 通孔（THD）和表面贴装（SMD）封装中一流的RDS(on)
- 静电放电（ESD）保护至少达到2级（人体模型HBM）
应用领域
- 适用于硬开关和软开关拓扑
- 针对LLC和零电压开关（ZVS）拓扑的使用进行了优化
- 用于照明和工业开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）和LLC应用
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