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IPP018N10N5XKSA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:205A
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- 描述
- 特性：适用于高频开关和同步整流。 N沟道，正常电平。 针对FOMoss进行优化。 极低导通电阻RDS(on)。 工作温度175℃。 无铅镀铅，符合PolHS标准。 根据IEC61249-2-21标准，无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP018N10N5XKSA1
- 商品编号
- C20191606
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 205A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.83mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@270uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 210nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.3nF |
商品特性
- 双N沟道常电平 - 增强型
- 通过AEC Q101认证
- 最高260°C峰值回流温度下达到MSL1
- 工作温度达175°C
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试
- 适用于自动光学检测（AOI）
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