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IPQC60R010S7AXTMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPQC60R010S7AXTMA1

IPQC60R010S7AXTMA1

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商品型号
IPQC60R010S7AXTMA1
商品编号
C20191609
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@12V
耗散功率(Pd)694W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)318nC@12V
输入电容(Ciss)11.986nF
工作温度-40℃~+150℃
输出电容(Coss)187pF

商品概述

IPQC60R017S7为低频开关应用提供了最佳的性价比。CoolMOS S7作为高压超结MOSFET,拥有最低的导通电阻(RDS(on)),显著提高了能源效率。 CoolMOS S7针对“静态开关”和大电流应用进行了优化。它非常适合固态继电器和断路器设计,以及开关电源和逆变器拓扑中的线路整流。

商品特性

  • 针对高端应用(断路器以及桥式整流器中的二极管并联/替换)的低开关频率进行了优化。
  • S7A技术可在最小的占位面积内实现同类最佳的导通电阻RDS(on)。
  • 开尔文源极引脚可提高大电流下的开关性能。
  • QDPAK(PG - HDSOP - 22 - 1)封装符合MSL1标准,完全无铅,引脚便于目视检查。

应用领域

  • 断路器(高压电池断开开关、直流和交流低频开关、高压电子保险丝)
  • 高功率/高性能应用中的二极管并联/替换

数据手册PDF