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IPQC60R010S7XTMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPQC60R010S7XTMA1

600V CoolMOS SJ S7功率器件

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
IPDQ60R010S7为低频开关应用提供了最佳的性价比。CoolMOS™ S7作为高压超结MOSFET,具备极低的导通电阻(RDS(on)),显著提升了能源效率。CoolMOS™ S7针对“静态开关”和大电流应用进行了优化
商品型号
IPQC60R010S7XTMA1
商品编号
C20191610
商品封装
HDSOP-22​
包装方式
编带
商品毛重
3.18克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@12V
耗散功率(Pd)694W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)318nC@12V
输入电容(Ciss)11.986nF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)187pF

商品特性

  • CoolMOS S7技术可在最小的封装尺寸内实现10mΩ的导通电阻(RDS(on))
  • 在低频开关应用中具备优化的性价比
  • 高脉冲电流能力
  • 开尔文源引脚可提升大电流下的开关性能
  • QDPAK(PG - HDSOP - 22 - 1)封装提供顶部散热,改善封装散热性能

应用领域

  • 固态继电器和断路器
  • 高功率/高性能应用中的线路整流,如计算机、电信、不间断电源(UPS)和太阳能

数据手册PDF