IPT014N10N5ATMA1
IPT014N10N5ATMA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT014N10N5ATMA1
- 商品编号
- C20191618
- 商品封装
- HSOF-8-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 362A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 211nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.3nF |
商品特性
- 适用于高频开关和同步整流。
- 具有出色的栅极电荷与导通电阻 RDS(on) 乘积(品质因数 FOM)
- 导通电阻 RDS(on) 极低
- N 沟道,标准电平
- 100% 经过雪崩测试
- 引脚无铅电镀;符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249 - 2 - 21 标准无卤
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