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IPF042N10NF2SATMA1

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPF042N10NF2SATMA1
商品编号: C20191601
商品封装: TO-263-7
包装方式: 编带
商品毛重: 1.907克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的后续产品，是专门针对移相全桥（ZVS）和LLC等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、具备同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）并改善了关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合，且在设计导入过程中不影响其易实现性。

商品特性

针对广泛应用进行优化
N沟道,常电平
100%雪崩测试
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据IEC61249-2-21标准无卤

应用领域

适用于软开关拓扑
针对移相全桥（ZVS）、LLC应用进行优化 —— 服务器、电信、电动汽车充电

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	139A
	导通电阻(RDS(on))	4.25mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	167W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.8V
	栅极电荷量(Qg)	85nC@10V
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道