IPF013N04NF2SATMA1
IPF013N04NF2SATMA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPF013N04NF2SATMA1
- 商品编号
- C20191597
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 232A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 188W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.76nF |
商品概述
650 V CoolSiC™基于英飞凌20多年来研发的成熟碳化硅技术打造。凭借宽带隙碳化硅材料特性，650 V CoolSiC™ MOSFET集高性能、高可靠性和易用性于一身。它适用于高温和恶劣工况，可实现系统最高效率的简化且经济高效的部署。
商品特性
- 针对广泛的应用场景进行优化
- N沟道,常电平
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求
应用领域
- 开关电源
- 不间断电源（UPS）
- 太阳能光伏逆变器
- 电动汽车充电基础设施
- 储能与电池化成
- D类放大器
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