IPF013N04NF2SATMA1
IPF013N04NF2SATMA1
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPF013N04NF2SATMA1
- 商品编号
- C20191597
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 232A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 188W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V@126uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.76nF |
商品概述
650 V CoolSiC™基于英飞凌20多年来研发的成熟碳化硅技术打造。凭借宽带隙碳化硅材料特性，650 V CoolSiC™ MOSFET集高性能、高可靠性和易用性于一身。它适用于高温和恶劣工况，可实现系统最高效率的简化且经济高效的部署。
商品特性
- 大电流下开关特性优化
- 换流稳健的快速体二极管，低反向恢复电荷Qf
- 出色的栅极氧化层可靠性
- 最高结温Tj, max = 175°C，热性能优异
- 导通电阻RDS(on)和脉冲电流随温度的变化更小
- 雪崩能力增强
- 与标准驱动器兼容（推荐驱动电压：0 V - 18 V）
- 开尔文源极可使开关损耗降低多达4倍
应用领域
- 开关电源
- 不间断电源（UPS）
- 太阳能光伏逆变器
- 电动汽车充电基础设施
- 储能与电池化成
- D类放大器
相似推荐
其他推荐
- IPF015N10N5ATMA1
- IPF016N06NF2SATMA1
- IPF019N12NM6ATMA1
- IPF042N10NF2SATMA1
- IPF050N10NF2SATMA1
- IPG20N04S408BATMA1
- IPP018N10N5XKSA1
- IPP0400NXKSA1
- IPQC60R010S7AXTMA1
- IPQC60R010S7XTMA1
- IPQC60R017S7AXTMA1
- IPQC60R017S7XTMA1
- IPQC60R040S7AXTMA1
- IPQC60R040S7XTMA1
- IPQC65R017CFD7XTMA1
- IPQC65R040CFD7XTMA1
- IPT012N08NF2SATMA1
- IPT014N10N5ATMA1
- IPT017N12NM6ATMA1
- IPT022N10NF2SATMA1
- IPTC007N06NM5ATMA1