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IPDQ65R029CFD7XTMA1
650V CoolMOS CFD7 SJ功率器件
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- 描述
- 最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CFD2的继任者。由于其改进的开关性能和出色的热性能，该产品在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥ZVS）中具有最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性。该技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPDQ65R029CFD7XTMA1
- 商品编号
- C20191588
- 商品封装
- HDSOP-22-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 463W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@1.79mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 139nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.149nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 106pF |
商品特性
- 针对广泛应用进行优化
- N沟道，常电平
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤
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