温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPF009N04NF2SATMA1
N沟道 40V 302A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPF009N04NF2SATMA1
- 商品编号
- C20191593
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 302A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 210nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 272pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.46nF |
商品概述
650 V CoolSiC™ 基于英飞凌（Infineon）20 多年来研发的成熟碳化硅技术打造。凭借宽带隙碳化硅材料的特性，650 V CoolSiC™ MOSFET 集高性能、高可靠性和易用性于一身。它适用于高温和恶劣工况，可实现高效系统的简化部署和低成本应用。
商品特性
- 针对广泛应用进行优化
- N沟道,常态电平
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21的无卤要求
应用领域
- 开关电源(SMPS)-不间断电源(UPS)-太阳能光伏逆变器-电动汽车充电基础设施-储能和电池化成-D 类放大器
相似推荐
其他推荐
- IPF010N04NF2SATMA1
- IPF010N06NF2SATMA1
- IPF012N06NF2SATMA1
- IPF013N04NF2SATMA1
- IPF015N10N5ATMA1
- IPF016N06NF2SATMA1
- IPF019N12NM6ATMA1
- IPF042N10NF2SATMA1
- IPF050N10NF2SATMA1
- IPG20N04S408BATMA1
- IPP018N10N5XKSA1
- IPQC60R010S7AXTMA1
- IPQC60R010S7XTMA1
- IPQC60R017S7AXTMA1
- IPQC60R017S7XTMA1
- IPQC60R040S7AXTMA1
- IPQC60R040S7XTMA1
- IPQC65R017CFD7XTMA1
- IPQC65R040CFD7XTMA1
- IPT012N08NF2SATMA1
- IPT014N10N5ATMA1