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IPDQ65R040CFD7XTMA1实物图
  • IPDQ65R040CFD7XTMA1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPDQ65R040CFD7XTMA1

IPDQ65R040CFD7XTMA1

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
商品型号
IPDQ65R040CFD7XTMA1
商品编号
C20191589
商品封装
HDSOP-22-1​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)64A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@10V
耗散功率(Pd)357W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V@1.24mA
栅极电荷量(Qg)97nC@10V
输入电容(Ciss)4.975nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)75pF

商品概述

最新的650 V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级,是650 V CoolMOS CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能,650 V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑(如LLC和移相全桥(ZVS))中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这一新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。

商品特性

  • 超快速体二极管
  • 650 V击穿电压
  • 同类最佳的导通态漏源电阻(RDS(on))
  • 降低开关损耗
  • 导通态漏源电阻(RDS(on))随温度的变化小

应用领域

-服务器-电信-电动汽车充电-太阳能

数据手册PDF