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IPDQ65R060CFD7XTMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPDQ65R060CFD7XTMA1

IPDQ65R060CFD7XTMA1

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商品型号
IPDQ65R060CFD7XTMA1
商品编号
C20191590
商品封装
HDSOP-22-1​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))60mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)272W
阈值电压(Vgs(th))4.5V@0.82mA
栅极电荷量(Qg)65nC@10V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

最新的950V CoolMOS PFD7系列为超结(SJ)技术树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合,满足照明和工业开关电源(SMPS)应用的需求。与CoolMOS P7系列相比,PFD7集成了超快体二极管,可用于具有市场最低反向恢复电荷(Qrr)的谐振拓扑。

商品特性

  • 集成超快体二极管
  • 一流的反向恢复电荷Qrr
  • 一流的品质因数RDS(on) * Eoss,降低了Qg、Ciss和Coss
  • 一流的3V栅源阈值电压V(GS)th,最小的V(GS)th变化范围为±0.5V
  • 集成快速体二极管
  • 一流的CoolMOS品质和可靠性
  • 全面优化的产品组合
  • THD和SMD封装中一流的导通电阻RDS(on)
  • 静电放电(ESD)保护至少达到2级(人体模型HBM)

应用领域

  • 适用于硬开关和软开关拓扑
  • 针对LLC和零电压开关(ZVS)拓扑的使用进行了优化
  • 用于照明和工业开关电源(SMPS)中的功率因数校正(PFC)和LLC应用

数据手册PDF