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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPDQ60R040S7XTMA1

IPDQ60R040S7XTMA1

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商品型号
IPDQ60R040S7XTMA1
商品编号
C20191586
商品封装
HDSOP-22-1​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)14A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@12V
耗散功率(Pd)272W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)83nC@12V
输入电容(Ciss)3.127nF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)50pF

商品特性

  • CoolMOSTM S7技术可在最小封装尺寸下实现40mΩ的RDS(on)
  • 在低频开关应用中具备优化的性价比
  • 高脉冲电流能力
  • 开尔文源极引脚可提高大电流下的开关性能
  • QDPAK(PG - HDSOP - 22 - 1)提供顶部散热,改善了封装热性能

应用领域

-固态继电器和断路器-高功率/高性能应用中的线路整流,如计算机、电信、不间断电源和太阳能

数据手册PDF