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IPDQ60R040S7AXTMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPDQ60R040S7AXTMA1

IPDQ60R040S7AXTMA1

商品型号
IPDQ60R040S7AXTMA1
商品编号
C20191585
商品封装
HDSOP-22-1​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)14A
导通电阻(RDS(on))40mΩ
耗散功率(Pd)272W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)83nC@12V
输入电容(Ciss)3.128nF
工作温度-40℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)50pF

商品概述

最新的950V CoolMOS PFD7系列为超结(SJ)技术树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合,满足照明和工业开关电源(SMPS)应用需求。与CoolMOS P7系列相比,PFD7集成了超快速体二极管,可用于谐振拓扑,且具有市场上最低的反向恢复电荷(Qrr)。

商品特性

  • 针对高端应用(断路器以及桥式整流器中的二极管并联/替换)的低开关频率进行了优化。
  • S7A技术可在最小的占位面积内实现同类最佳的导通电阻RDS(on)。
  • 开尔文源极引脚可改善大电流下的开关性能。
  • QDPAK(PG - HDSOP - 22 - 1)封装符合MSL1标准,完全无铅,适用于标准PCB组装流程。

应用领域

-断路器(高压电池断开开关、直流和交流低频开关、高压电子保险丝)-用于高功率/高性能应用的二极管并联/替换

数据手册PDF