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IPD052N10NF2SATMA1
适用于广泛应用的N沟道功率晶体管，经过雪崩测试，无铅且符合RoHS和无卤标准
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD052N10NF2SATMA1
- 商品编号
- C20191575
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.627克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 118A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 570pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 针对广泛应用进行优化
- N沟道,常电平
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤素
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