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IPDQ60R017S7AXTMA1

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPDQ60R017S7AXTMA1
商品编号: C20191580
商品封装: HDSOP-22-1
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

IPDQ60R040S7A是一款高压功率MOSFET，依据英飞凌科技公司率先提出的超结（SJ）原理设计为静态开关。 IPDQ60R040S7A将领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新相结合，能够在QDPAK封装中实现低导通电阻RDS(on)。S7A系列针对低频开关和大电流应用（如断路器）进行了优化。

商品特性

针对高端应用(断路器以及桥式整流器中的二极管并联/替换)的低开关频率进行了优化。
S7A技术可在最小的占位面积内实现同类最佳的导通电阻(RDS(on))。
开尔文源极引脚可提高大电流下的开关性能。
QDPAK(PG - HDSOP - 22 - 1)封装符合MSL1标准,完全无铅,适用于标准PCB组装流程。

应用领域

断路器(高压电池断开开关、直流和交流低频开关、高压电子保险丝)
高功率/高性能应用中的二极管并联/替换

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	30A
	导通电阻(RDS(on))	17mΩ@12V
	耗散功率(Pd)	500W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V
	栅极电荷量(Qg)	196nC@12V
	输入电容(Ciss)	7.37nF
	工作温度	-40℃~+150℃
	输出电容(Coss)	116pF