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IPDQ60R020CFD7XTMA1

IPDQ60R020CFD7XTMA1

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商品型号
IPDQ60R020CFD7XTMA1
商品编号
C20191582
商品封装
HDSOP-22-1​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)112A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V
耗散功率(Pd)543W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)186nC@10V
输入电容(Ciss)7.395nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)146pF

商品特性

  • 超快体二极管
  • 低栅极电荷
  • 同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)
  • 改善了MOSFET反向二极管的dv/dt和diF/dt鲁棒性
  • 最低的品质因数RDS(on) * Qg和RDS(on) * Eoss
  • 贴片(SMD)和通孔(THD)封装中同类最佳的RDS(on)

应用领域

  • 软开关拓扑
  • 移相全桥(ZVS)、LLC应用 - 服务器
  • 电信
  • 电动汽车充电

数据手册PDF