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IPDQ60R022S7AXTMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPDQ60R022S7AXTMA1

IPDQ60R022S7AXTMA1

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商品型号
IPDQ60R022S7AXTMA1
商品编号
C20191583
商品封装
HDSOP-22-1​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)24A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@12V
耗散功率(Pd)416W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)150nC@12V
输入电容(Ciss)5.64nF
工作温度-40℃~+150℃
输出电容(Coss)89pF

商品概述

IPDQ60R022S7A是一款高压功率MOSFET,依据率先推出的超结(SJ)原理设计为静态开关。IPDQ60R022S7A融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术,能在QDPAK封装中实现低导通电阻RDS(on)。S7A系列针对低频开关和大电流应用(如断路器)进行了优化。

商品特性

  • 针对高端应用(断路器以及桥式整流器中的二极管并联/替代)中的低开关频率进行了优化。
  • S7A技术可在最小的占位面积内实现同类最佳的导通电阻RDS(on)。
  • 开尔文源引脚可改善大电流下的开关性能。
  • QDPAK(PG - HDSOP - 22 - 1)封装符合MSL1标准,完全无铅,适用于标准PCB组装流程。

应用领域

-断路器(高压电池断开开关、直流和交流低频开关、高压电子保险丝)-用于高功率/高性能应用的二极管并联/替代

数据手册PDF