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IPDQ60R017S7XTMA1
N沟道 600V 30A
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- 描述
- 适用于低频开关应用，具备最佳性价比。拥有HV SJ MOSFET中最低的RDS(on)值，显著提高能源效率。针对“静态开关”和大电流应用进行了优化，适用于固态继电器和断路器设计，以及开关电源和逆变器拓扑中的线路整流。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPDQ60R017S7XTMA1
- 商品编号
- C20191581
- 商品封装
- HDSOP-22-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@12V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 196nC@12V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.37nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 116pF |
商品概述
最新的950V CoolMOS™ PFD7系列为超结（SJ）技术树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与先进的易用性相结合，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS™ P7系列相比，PFD7集成了超快体二极管，可用于谐振拓扑，其反向恢复电荷（Qrr）为市场最低。
商品特性
- CoolMOS S7技术可在最小的占位面积内实现17mΩ的RDS(on)
- 在低频开关应用中具有优化的性价比
- 高脉冲电流能力
- 开尔文源极引脚可提高大电流下的开关性能
- QDPAK(PG - HDSOP - 22 - 1)提供顶部散热,改善了封装热性能
应用领域
- 固态继电器和断路器
- 高功率/高性能应用中的线路整流,如计算机、电信、不间断电源和太阳能
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