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IPDQ60R017S7XTMA1
N沟道 600V 30A
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- 描述
- 适用于低频开关应用，具备最佳性价比。拥有HV SJ MOSFET中最低的RDS(on)值，显著提高能源效率。针对“静态开关”和大电流应用进行了优化，适用于固态继电器和断路器设计，以及开关电源和逆变器拓扑中的线路整流。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPDQ60R017S7XTMA1
- 商品编号
- C20191581
- 商品封装
- HDSOP-22-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@12V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@1890uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 196nC@12V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.37nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 116pF |
商品概述
最新的950V CoolMOS™ PFD7系列为超结（SJ）技术树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与先进的易用性相结合，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS™ P7系列相比，PFD7集成了超快体二极管，可用于谐振拓扑，其反向恢复电荷（Qrr）为市场最低。
商品特性
- 集成超快体二极管
- 一流的反向恢复电荷Qrr
- 一流的品质因数RDS(on) * Eoss，降低了Qg、Ciss和Coss
- 一流的3V V(GS)th和±0.5V的最小V(GS)th变化
- 集成快速体二极管
- 一流的CoolMOS™品质和可靠性
- 全面优化的产品组合
- THD和SMD封装中一流的RDS(on)
- 静电放电（ESD）保护最低2级（人体模型HBM）
应用领域
- 适用于硬开关和软开关拓扑
- 针对LLC和零电压开关（ZVS）拓扑的使用进行了优化
- 用于照明和工业开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）和LLC应用
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