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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IMZA120R030M1HXKSA1

1200 V碳化硅沟槽MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性：VDSS = 1200 V at TVj = 25℃。 IDDC = 70 A at Tc = 25℃。 RDS(on) = 30 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25℃。 极低的开关损耗。 短路耐受时间 3 μs。 基准栅极阈值电压，VGDS(th) = 4.2 V。应用：通用驱动器 (GPD)。 电动汽车充电
品牌名称
Infineon(英飞凌)
商品型号
IMZA120R030M1HXKSA1
商品编号
C20191549
商品封装
TO-247-4​
包装方式
管装
商品毛重
8.84克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)70A
耗散功率(Pd)273W
阈值电压(Vgs(th))4.2V
栅极电荷量(Qg)68nC
属性参数值
输入电容(Ciss)2.16nF
反向传输电容(Crss)14pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)99pF
导通电阻(RDS(on))30mΩ

商品特性

  • VDSS = 1200 V at TVj = 25℃
  • IDDC = 70 A at Tc = 25℃
  • RDS(on) = 30 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25℃
  • 非常低的开关损耗
  • 短路耐受时间 3 μs
  • 基准栅极阈值电压，VGDS(th) = 4.2 V
  • 抗寄生导通能力强，可施加 0 V 关断栅极电压
  • 用于硬换流的稳健体二极管
  • .XT 互连技术，实现一流的热性能

应用领域

  • 通用驱动器 (GPD)
  • 电动汽车充电
  • 在线 UPS/工业 UPS
  • 串式逆变器
  • 太阳能功率优化器

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