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IPB95R130PFD7ATMA1
950V CoolMOSTM PFD7超结功率器件
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- 描述
- 最新的950V CoolMOS PFD7系列在超结（SJ）技术方面树立了新的标杆。该技术旨在通过结合一流的性能和最先进的易用性，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS P7系列相比，PFD7提供了集成的超快体二极管，可在具有市场最低反向恢复电荷（Qrr）的谐振拓扑中使用。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB95R130PFD7ATMA1
- 商品编号
- C20191567
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 227W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 141nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.17nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
商品特性
- 集成超快体二极管
- 一流的反向恢复电荷Qrr
- 一流的品质因数RDS(on) * Eoss,降低Qg、Ciss和Coss
- 一流的3V栅源阈值电压V(GS)th,最小的V(GS)th变化范围为± 0.5 V
- 集成快速体二极管
- 一流的CoolMOSTM品质和可靠性
- 全面优化的产品组合
- THD和SMD封装中一流的导通电阻RDS(on)
- 静电放电(ESD)保护最低2级(人体模型HBM)
应用领域
- 适用于硬开关和软开关拓扑
- 针对LLC和零电压开关(ZVS)拓扑的使用进行优化
- 照明和工业开关电源(SMPS)中的功率因数校正(PFC)和LLC应用
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