IPC302N15N3X1SA1
IPC302N15N3X1SA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPC302N15N3X1SA1
- 商品编号
- C20191570
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
- N沟道增强型
- 依据失效目录,外观检验的可接收质量水平(AQL)为0.65
- 依据MIL-STD 883C标准,属于静电放电敏感器件
- 芯片键合:焊接或胶粘
- 背面金属化:镍钒(NiV)体系
- 正面金属化:铝铜(AlCu)体系
- 钝化处理:氮化物(仅用于边缘结构)
- 功率MOS晶体管芯片
商品特性
- 针对广泛的应用场景进行优化
- N沟道、常电平
- 经过100%雪崩测试
- 引脚无铅电镀；符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤
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