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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPA95R310PFD7XKSA1

950V CoolMOSTM PFD7超结功率器件

描述
最新的950V CoolMOS™ PFD7系列为超结(SJ)技术树立了新标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合,满足照明和工业开关电源(SMPS)应用的需求。与CoolMOS™ P7系列相比,PFD7提供了集成的超快体二极管,可用于谐振拓扑,其反向恢复电荷(Qrr)为市场最低
商品型号
IPA95R310PFD7XKSA1
商品编号
C20191554
商品封装
TO-220-3-313​
包装方式
管装
商品毛重
3.39克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)950V
连续漏极电流(Id)8.7A
导通电阻(RDS(on))310mΩ@10V
耗散功率(Pd)31W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V@520uA
栅极电荷量(Qg)61nC@10V
输入电容(Ciss)1.765nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)23pF

商品概述

CoolMOS™ 是一种用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。最新的 CoolMOS™ CFD7 是 CoolMOS™ CFD2 系列的后续产品,是专门为软开关应用(如移相全桥(ZVS)和 LLC)量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷(Qg)、拥有同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)并改善了关断特性,CoolMOS™ CFD7 在谐振拓扑中实现了最高效率。这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合,且在设计导入过程中易于实施。

商品特性

~~- 超快体二极管-低栅极电荷-同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)-改善了 MOSFET 反向二极管的 dv/dt 和 diF/dt 鲁棒性-最低的品质因数 Rds(ON)*QG 和 Rds(ON)*Eoss-SMD 和 THD 封装中同类最佳的 Rds(ON)

应用领域

  • 软开关拓扑
  • 移相全桥(ZVS)、LLC 应用——服务器、电信、电动汽车充电

数据手册PDF