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IPB013N06NF2SATMA1
StrongIRFET2功率晶体管
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- 描述
- 特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB013N06NF2SATMA1
- 商品编号
- C20191558
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 198A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V@246uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 305nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.86nF |
商品特性
- 适用于汽车应用的 OptiMOS™ 功率 MOSFET
- N 沟道 - 增强模式 - 正常电平
- 超出 AEC - Q101 的扩展认证
- 增强型电气测试
- 坚固耐用的设计
- 最高 260°C 峰值回流的 MSL1 等级
- 175°C 工作温度
- 100% 雪崩测试
- 极低的反向恢复电荷 (Qrr)
应用领域
- 一般汽车应用。
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