IPB018N10N5ATMA1
IPB018N10N5ATMA1
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB018N10N5ATMA1
- 商品编号
- C20191562
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 176A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.83mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@270uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 210nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.3nF |
商品特性
- 非常适合高频开关和同步整流。
- N沟道，常电平
- 针对FOMoss进行了优化
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度可达175℃
- 引脚无铅镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准，无卤素
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