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IPA95R450PFD7XKSA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPA95R450PFD7XKSA1

IPA95R450PFD7XKSA1

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商品型号
IPA95R450PFD7XKSA1
商品编号
C20191555
商品封装
TO-220-3-313​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)950V
连续漏极电流(Id)7.2A
导通电阻(RDS(on))450mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)30W
阈值电压(Vgs(th))3.5V@0.36mA
栅极电荷量(Qg)43nC@10V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

IPDQ60R017S7A是一款高压功率MOSFET,根据超结(SJ)原理设计为静态开关。它结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流创新技术,能在QDPAK封装中实现低导通电阻(RDS(on))。S7A系列针对低频开关和高电流应用(如断路器)进行了优化。

商品特性

  • 针对高端应用(断路器以及桥式整流器中的二极管并联/替换)的低开关频率进行了优化。
  • S7A技术可在最小的占位面积内实现同类最佳的导通电阻(RDS(on))。
  • 开尔文源极引脚可提高大电流下的开关性能。
  • QDPAK(PG - HDSOP - 22 - 1)封装符合MSL1标准,完全无铅,适用于标准PCB组装流程。

应用领域

  • 断路器(高压电池断开开关、直流和交流低频开关、高压电子保险丝)
  • 高功率/高性能应用中的二极管并联/替换

数据手册PDF